FIB分析检测_第三方检测机构_试验中心「北检（北京）检测技术研究院」

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望见谅。

常见问题

FIB分析检测需要多长时间？

通常7-15个工作日。具体周期取决于样品材料导电性、切割截面积大小以及透射电镜薄片制备的复杂程度，难加工样品可能需要更长时间进行离子束减薄。

FIB分析检测费用大概多少？

根据检测项目数量确定。基础截面成像与复杂透射电镜样品制备的机时消耗差异显著，需要结合离子束刻蚀时间、能谱分析点位数量及是否需要电子束成像来核算很终费用。

非导电样品能否直接进行FIB截面分析？

非导电样品需要行表面喷金或喷碳处理建立导电层，否则在离子束照射下会产生电荷积累导致图像畸变和离子束偏移，严重影响截面切割位置的准确性。

FIB分析检测项目

定点截面切割深度，用于评估材料内部纵向结构特征及层间厚度分布情况
二次电子图像表面形貌分析，用于观察样品微观表面起伏及加工后边缘粗糙度
离子束诱导沉积金属层，用于在指定区域形成导电连接或保护特定微结构免受刻蚀损伤
透射电镜样品制备，用于制备厚度小于100纳米的薄片以供后续高分辨晶格成像分析
电路修改与微连接，用于切断芯片内部特定金属互连线或建立新的电气连接通路以验证逻辑功能
缺陷截面暴露，用于去除覆盖层以暴露内部空洞、裂纹或短路点等隐蔽缺陷
能谱成分线扫描分析，用于测定截面方向上各元素分布及界面扩散情况
电子束诱导电流成像，用于识别半导体PN结位置及载流子复合中心缺陷
晶粒尺寸与取向分析，用于表征多晶材料内部晶粒形貌及晶界特征
层间介电层厚度测量，用于判定集成电路多层布线中绝缘层工艺是否符合设计要求
空洞率面积百分比计算，用于量化焊点或金属互连层内部空洞缺陷占比
纳米结构线宽测量，用于评估光刻工艺形成的微纳图形尺寸精度
选择刻蚀形貌观察，用于评估特定气体离子束对不同材料的刻蚀选择比及各向异性特征
三相界面结合表征，用于观察金属与陶瓷或聚合物界面的元素扩散及结合致密性
应力诱导缺陷观察，用于分析材料在热应力或机械应力下产生的微裂纹及晶格滑移特征
导电通孔形貌评估，用于检查硅通孔刻蚀剖面垂直度及侧壁粗糙度
外延层缺陷密度测量，用于统计单位面积内位错及层错等晶体缺陷数量
极化电滞回线微区表征，用于分析铁电材料纳米尺度畴壁运动及极化翻转特性
合金相界面成分梯度分析，用于测定扩散偶界面处元素浓度随距离变化的曲线
机械疲劳微裂纹扩展分析，用于观察循环载荷下材料内部裂纹尖端塑性变形区形貌

检测信息

FIB分析是一种利用聚焦离子束技术对材料进行微纳尺度加工、截面切割与显微成像的分析手段，主要应用于半导体器件失效分析、集成电路剖面观察及纳米材料结构表征领域。

该检测旨在通过高能离子束定点剥离材料表面并获取底层形貌信息，涉及二次电子成像、离子诱导电流成像以及定点材料传输等物理技术手段，用于定位器件内部缺陷位置并观察微观结构异常。

检测流程包含样品表面导电层制备、离子束刻蚀参数设定、截面定点切割以及高分辨扫描电子显微镜成像，核心参数涵盖离子束加速电压、束流大小、切割深度与成像放大倍数。

检测范围

集成电路芯片剖面结构FIB分析
半导体器件金属层间缺陷定位FIB分析
MEMS器件微机械结构截面FIB分析
晶圆表面颗粒物成分FIB-SEM分析
存储器单元浮栅结构FIB截面分析
功率器件IGBT芯片缺陷FIB分析
LED芯片外延层界面FIB剖面分析
封装焊料凸点内部空洞FIB截面分析
硅通孔互连结构完整性FIB分析
薄膜电阻层厚度测量FIB分析
纳米线材料形貌与尺寸FIB表征分析
锂离子电池电极材料截面FIB分析
复合材料纤维界面结合FIB截面分析
金属材料晶界与析出相FIB表征分析
玻璃基板微裂纹扩展路径FIB分析
导电桥接器件相变材料FIB剖面分析
微流控芯片通道形貌FIB截面分析
磁存储介质位错缺陷FIB截面分析
钙钛矿太阳能电池层间界面FIB分析
量子点发光二极管器件结构FIB分析
微纳光学器件光栅结构FIB截面分析

检测标准（部分）

GB/T 16840.7-2021 电气火灾痕迹物证技术鉴定方法第7部分:EDS成分分析法
GB/T 20726-2025 微束分析扫描电子显微镜（SEM）或电子探针显微分析仪（EPMA）用X射线能谱仪（EDS）主要性能参数及核查方法
GB/T 18735-2002 分析电镜(AEM/EDS)纳米薄标样通用规范
20253748-T-469 微束分析分析电镜（AEM/EDS）纳米薄标样通用规范
ISO 20720:2018 Microbeam analysis — Methods of specimen preparation for analysis of general powders using WDS and EDS
DB65/T 4489-2022 天然彩色棉鉴别方法EDS能谱分析法
BS ISO 20720:2018 Microbeam analysis. Methods of specimen preparation for analysis of general powders using WDS and EDS
T/CIET 1253-2025 扫描电镜-能谱仪(SEM-EDS)分析技术规范
KS D ISO 22309(2021 Confirm)(2021) 마이크로빔 분석－에너지 분산 분광법(EDS)을 이용한 정량 분석
KS D ISO 22309-2011(2021) 마이크로빔 분석－에너지 분산 분광법(EDS)을 이용한 정량 분석
KS D ISO 22309-2011(2016) 마이크로빔 분석－에너지 분산 분광법(EDS)을 이용한 정량 분석
ISO 22309:2011 Microbeam analysis — Quantitative analysis using energy-dispersive spectrometry (EDS) for elements with an atomic number of 11 (Na) or above
DIN ISO 22309:2015-11 Microbeam analysis - Quantitative analysis using energy-dispersive spectrometry (EDS) for elements with an atomic number of 11 (Na) or above (ISO 22309:2011)
ISO 22309:2006 Microbeam analysis — Quantitative analysis using energy-dispersive spectrometry (EDS)
ISO 15632:2021 Microbeam analysis — Selected instrumental performance parameters for the specification and checking of energy-dispersive X-ray spectrometers (EDS) for use with a scanning electron microscope (SEM) or an electron probe microanalyser (EPMA)
GB/T 16399-2021(英文版) 黏土化学分析方法
BS ISO 22309:2011 Microbeam analysis. Quantitative analysis using energy-dispersive spectrometry (EDS) for elements with an atomic number of 11 (Na) or above
DIN ISO 15632:2022-09 Microbeam analysis - Selected instrumental performance parameters for the specification and checking of energy-dispersive X-ray spectrometers (EDS) for use with a scanning electron microscope (SEM) or an electron probe microanalyser (EPMA) (ISO 15632:2021)
ASTM E3309-21 Standard Guide for Reporting of Forensic Primer Gunshot Residue (pGSR) Analysis by Scanning Electron Microscopy/Energy Dispersive X-Ray Spectrometry (SEM/EDS)
BS ISO 22309:2006 Microbeam analysis. Quantitative analysis using energy-dispersive spectrometry (EDS)