可控硅分析

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望见谅。

检测信息（部分）

检测项目（部分）

• 正向重复峰值电压——器件在正向阻断状态下可承受的最大重复电压
• 反向重复峰值电压——器件在反向阻断状态下的最大耐受电压值
• 门极触发电流——使器件从关断转为导通所需的最小控制电流
• 维持电流——保持导通状态所需的最小阳极电流
• 浪涌电流承受能力——短时间内承受非重复性过载电流的能力
• 结温升测试——工作状态下半导体结的温度变化监测
• 开关时间——包含开通时间与关断时间的动态特性参数
• 热阻参数——表征器件散热能力的核心指标
• 绝缘耐压——器件外壳与电极间的绝缘耐受强度
• 反向恢复电荷——关断过程中载流子复合产生的电荷量
• dv/dt耐量——器件耐受电压变化率的能力
• di/dt耐量——导通时电流上升速率的承受极限
• 触发电压——门极触发信号的最小有效电压
• 漏电流测试——阻断状态下的微小电流泄漏值
• 高温存储试验——模拟长期高温环境下的性能稳定性
• 低温启动特性——极端低温条件下的可靠触发能力
• 振动耐受性——机械振动环境下的结构完整性验证
• 湿度循环测试——评估器件在湿度变化中的抗腐蚀能力
• 盐雾腐蚀试验——验证沿海等高盐环境下的使用可靠性
• 寿命加速测试——通过应力加速模拟器件使用寿命

检测范围（部分）

• 单向可控硅
• 双向可控硅
• 门极可关断晶闸管（GTO）
• 逆导型晶闸管
• 光控晶闸管
• 快速晶闸管
• 高频晶闸管
• 高压晶闸管
• 大功率模块化晶闸管
• 相位控制型晶闸管
• 非对称晶闸管
• 反向阻断三极管
• 集成门极换流晶闸管（IGCT）
• MOS控制晶闸管（MCT）
• 发射极关断晶闸管（ETO）
• 平板式封装晶闸管
• 螺栓式封装晶闸管
• 表面贴装型晶闸管
• 汽车级晶闸管
• 军工级特种晶闸管

检测仪器（部分）

• 半导体参数分析仪
• 高压绝缘测试仪
• 动态特性测试系统
• 热阻测试仪
• 高精度示波器
• 浪涌电流发生器
• 温度循环试验箱
• 振动测试台
• 盐雾试验机
• 高温老化测试系统

检测流程

1、收到客户的检测需求委托。

2、确立检测目标和检测需求

3、所在实验室检测工程师进行报价。

4、客户前期寄样，将样品寄送到相关实验室。

5、工程师对样品进行样品初检、入库以及编号处理。

6、确认检测需求，签定保密协议书，保护客户隐私。

7、成立对应检测小组，为客户安排检测项目及试验。

8、7-15个工作日完成试验，具体日期请依据工程师提供的日期为准。

9、工程师整理检测结果和数据，出具检测报告书。

10、将报告以邮递、传真、电子邮件等方式送至客户手中。

检测实验室（部分）

检测优势

1、综合性检测技术研究院等多项荣誉证书。

2、检测数据库知识储备大，检测经验丰富。

3、检测周期短，检测费用低。

4、可依据客户需求定制试验计划。

5、检测设备齐全，实验室体系完整

6、检测工程师专业知识过硬，检测经验丰富。

7、可以运用36种语言编写MSDS报告服务。

8、多家实验室分支，支持上门取样或寄样检测服务。

结语

以上是关于可控硅分析的检测服务介绍，仅展示了部分检测样品和检测项目，如有其它需求或疑问请咨询在线工程师。